近期內(nèi)存產(chǎn)品的一大趨勢(shì)是高速率內(nèi)存越來越多，不僅有大量DDR5 6000、DDR5 7200規(guī)格的內(nèi)存在市面上銷售，目前標(biāo)稱速率達(dá)DDR5 8000的內(nèi)存也接踵而至。普通的DDR5 4800、DDR5 5200內(nèi)存已經(jīng)很再難入DIY玩家的法眼。那么在性能上，這些標(biāo)稱速率以“8”開頭的內(nèi)存到底比其他規(guī)格的內(nèi)存強(qiáng)多少？接下來就讓我們通過對(duì)芝奇Trident Z5 RGB幻鋒戟DDR5 8000 48GB內(nèi)存套裝的測(cè)試來得出答案。
產(chǎn)品規(guī)格
內(nèi)存容量：24GB×2
內(nèi)存電壓：
DDR5 5600@1.1V
DDR5 8000@1.35V
默認(rèn)時(shí)序：
40-48-48-128@DDR5 8000
46-45-45-90@DDR5 5600
質(zhì)保時(shí)間：終身保固
參考價(jià)格：2699元
才貌雙絕
解讀芝奇Trident Z5 RGB幻鋒戟DDR5 8000 48GB內(nèi)存套裝
作為定位高端DIY領(lǐng)域的品牌，芝奇內(nèi)存有一個(gè)最大的特點(diǎn)就是無論在外觀還是性能規(guī)格上，都擁有極致的設(shè)計(jì)，就如這款芝奇Trident Z5 RGB幻鋒戟DDR5 8000 48GB內(nèi)存套裝。它采用了時(shí)尚的流線型元素，通過精密切割技術(shù)打造出刀鋒造型的散熱片，這也是它被稱為幻鋒戟的主要原因。其剛毅的曲線設(shè)計(jì)宛如超跑的奔馳軌跡，以利落鮮明的線條詮釋出剽悍的速度感。內(nèi)存散熱片表面則采用精致細(xì)膩的噴砂處理，在顏色上有細(xì)致光亮的科技銀、高雅沉穩(wěn)的黯霧黑，以及經(jīng)典時(shí)尚的皓雪白三種顏色可選，散熱片的中部還都融入了黑色高質(zhì)感發(fā)絲紋鋁片，凸顯其高端定位。
▲本次測(cè)試的芝奇Trident Z5 RGB幻鋒戟DDR5 8000內(nèi)存采用皓雪白配色，它就像一把白色利刃，既擁有流線型的設(shè)計(jì)也充滿了科技感。
與芝奇經(jīng)典的Trident Z幻光戟內(nèi)存類似，這款產(chǎn)品也配備了能均勻?qū)Ч獾膶?dǎo)光條，每根內(nèi)存頂部擁有8顆RGB LED，可使用芝奇專屬燈效控制軟件Trident Z 控制臺(tái)或可支持芝奇內(nèi)存光效的第三方RGB燈控軟件來設(shè)置發(fā)光模式。用戶可以在Trident Z 控制臺(tái)燈效軟件里隨心所欲地設(shè)置每一顆LED的發(fā)光色彩，燈效的發(fā)光亮度、速度，并啟用包括“靜態(tài)”“呼吸”“彩虹”和“呼吸彩虹”在內(nèi)的多達(dá)14種發(fā)光特效，讓用戶可以打造出顏值爆表的電競(jìng)主機(jī)。此外，這款內(nèi)存還支持華碩AURA SYNC、技嘉RGB FUSION、華擎Polychrome SYNC、微星Mystic Light Sync燈效等四家主板廠商的燈效同步技術(shù)，可與同樣支持這些燈效的硬件同步發(fā)光，帶來壯觀炫麗的視覺效果。
▲芝奇自己為該內(nèi)存提供了名為Trident Z 控制臺(tái)的燈效控制軟件，用戶可對(duì)每顆LED的色彩進(jìn)行設(shè)置，并預(yù)設(shè)了多達(dá)14種燈效。
▲芝奇Trident Z5 RGB幻鋒戟DDR5 8000內(nèi)存可以呈現(xiàn)出鮮艷奪目、絢麗多彩的視覺效果。
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，芝奇Trident Z5 RGB幻鋒戟DDR5 8000 48GB內(nèi)存也有重大升級(jí)，它采用了SK海力士首款14nm DDR5內(nèi)存顆粒—新一代M-Die。對(duì)比之前曾被DIY玩家追捧的A-Die顆粒可謂是青出于藍(lán)而勝于藍(lán)。根據(jù)專業(yè)超頻玩家反饋，新一代M-Die顆粒同樣具備超頻潛力巨大，可玩性很高的特性，而且其在相同速率下的所需電壓較A-Die顆粒有所降低。當(dāng)別家的內(nèi)存還需要以1.4V、1.5V電壓才能在DDR5 8000下運(yùn)行時(shí)，這款芝奇Trident Z5 RGB幻鋒戟DDR5 8000 48GB內(nèi)存借助SK海力士M-Die顆粒，其在DDR5 8000下的標(biāo)稱電壓只有1.35V，在DDR5 8000下的延遲為40（CL）-48（TRCD）-48（TRP）-128（TRAS），并不算高，畢竟很多普通DDR5 5200、5600內(nèi)存的CL延遲也設(shè)置在40左右。值得一提的是，M-Die顆粒的使用還提升了內(nèi)存的單位存儲(chǔ)密度，盡管每根內(nèi)存仍采用單面8顆粒設(shè)計(jì)，但每顆顆粒的容量為3GB，單根內(nèi)存容量達(dá)到24GB，所以這對(duì)內(nèi)存的總?cè)萘窟_(dá)到48GB，讓產(chǎn)品能兼得容量與性能。
